NTHS4501NT1G
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| Numero parte | NTHS4501NT1G |
| PNEDA Part # | NTHS4501NT1G |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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NTHS4501NT1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTHS4501NT1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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NTHS4501NT1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.9A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 4.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 462pF @ 24V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ChipFET™ |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200mA Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 60pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 625mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 1500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 50W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P(L) Pacchetto / Custodia TO-3PL |
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