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NTHD3100CT3

NTHD3100CT3

Solo per riferimento

Numero parte NTHD3100CT3
PNEDA Part # NTHD3100CT3
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.050
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NTHD3100CT3 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTHD3100CT3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTHD3100CT3, NTHD3100CT3 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 138,04 KB)
PDFNTHD3100CT3G Datasheet Copertura
NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 2 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 3 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 4 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 5 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 6 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 7 NTHD3100CT3G Datasheet Pagina 8

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NTHD3100CT3 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds165pF @ 10V
Potenza - Max1.1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A, 4.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

APTM120A20SG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

600nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

Potenza - Max

1250W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

APTM120A29FTG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

348mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

Potenza - Max

780W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP4

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 15V

Potenza - Max

960mW

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50Ohm @ 20mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 5V

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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