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NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

Solo per riferimento

Numero parte NTGD3149CT1G
PNEDA Part # NTGD3149CT1G
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
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NTGD3149CT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNTGD3149CT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NTGD3149CT1G, NTGD3149CT1G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 120,64 KB)
PDFNTGD3149CT1G Datasheet Copertura
NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 2 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 3 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 4 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 5 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 6 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 7 NTGD3149CT1G Datasheet Pagina 8

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NTGD3149CT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A, 2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds387pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

103mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

514pF @ 10V

Potenza - Max

515mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

FDS8333C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.1A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

282pF @ 10V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

NTTFS5C466NLTAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Ta), 51A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WDFN (3.3x3.3)

MCH6605-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate, 4V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

140mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22Ohm @ 40mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.32nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6.2pF @ 10V

Potenza - Max

800mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MCPH

NTD5C688NLT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta), 17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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