NTB110N65S3HF
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| Numero parte | NTB110N65S3HF |
| PNEDA Part # | NTB110N65S3HF |
| Descrizione | SUPERFET3 650V FRFET,110M |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.484 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTB110N65S3HF Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NTB110N65S3HF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NTB110N65S3HF, NTB110N65S3HF Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 384,91 KB)
  
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NTB110N65S3HF Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | FRFET®, SuperFET® III |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 740µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2635pF @ 400V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 240W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
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