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NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVF6003SB6T1G
PNEDA Part # NSVF6003SB6T1G
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.388
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 2 - lug 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSVF6003SB6T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVF6003SB6T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NSVF6003SB6T1G, NSVF6003SB6T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 373,72 KB)
PDFNSVF6003SB6T1G Datasheet Copertura
NSVF6003SB6T1G Datasheet Pagina 2 NSVF6003SB6T1G Datasheet Pagina 3 NSVF6003SB6T1G Datasheet Pagina 4 NSVF6003SB6T1G Datasheet Pagina 5 NSVF6003SB6T1G Datasheet Pagina 6

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NSVF6003SB6T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max800mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-CPH

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

100MHz ~ 400MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

28W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

55FT

Pacchetto dispositivo fornitore

55FT

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Frequenza - Transizione

10GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Guadagno

9.6dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

MS2200A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

2.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

25dB

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

BFP410H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

25GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Guadagno

21.5dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 13mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

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