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NSVBCW68GLT1G

NSVBCW68GLT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSVBCW68GLT1G
PNEDA Part # NSVBCW68GLT1G
Descrizione TRANS PNP BIPOLAR 45V SOT23-3
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 29.004
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NSVBCW68GLT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSVBCW68GLT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSVBCW68GLT1G, NSVBCW68GLT1G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 86,91 KB)
PDFNSVBCW68GLT1G Datasheet Copertura
NSVBCW68GLT1G Datasheet Pagina 2 NSVBCW68GLT1G Datasheet Pagina 3 NSVBCW68GLT1G Datasheet Pagina 4 NSVBCW68GLT1G Datasheet Pagina 5

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NSVBCW68GLT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)45V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic700mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)20nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 1V
Potenza - Max225mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

700V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.25A, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5.5 @ 5A, 5V

Potenza - Max

57W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

ISOWATT218FX

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOWATT-218FX

JANSR2N2369AUB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/317

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

400nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

2N3637UB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

175V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

ZXTN25050DFHTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

210mV @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Potenza - Max

1.25W

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

CZT5551 BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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