NSV60100DUW6T1G
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| Numero parte | NSV60100DUW6T1G |
| PNEDA Part # | NSV60100DUW6T1G |
| Descrizione | DUAL TRANSISTOR PNP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.268 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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NSV60100DUW6T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NSV60100DUW6T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array |
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NSV60100DUW6T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | - |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | - |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | - |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | - |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
| Potenza - Max | - |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo di transistor NPN, PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 150mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Potenza - Max 300mW Frequenza - Transizione 100MHz, 190MHz Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP |
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