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NST3946DP6T5G

NST3946DP6T5G

Solo per riferimento

Numero parte NST3946DP6T5G
PNEDA Part # NST3946DP6T5G
Descrizione TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 75.018
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NST3946DP6T5G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNST3946DP6T5G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
NST3946DP6T5G, NST3946DP6T5G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 137,67 KB)
PDFNSVT3946DP6T5G Datasheet Copertura
NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 2 NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 3 NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 4 NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 5 NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 6 NSVT3946DP6T5G Datasheet Pagina 7

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NST3946DP6T5G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)200mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)40V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Potenza - Max350mW
Frequenza - Transizione200MHz, 250MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-963
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-963

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

8 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Potenza - Max

2.25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

18-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

18-DIP

BC847BPDXV6T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

DMC504010R

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

210 @ 2mA, 10V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SMini6-F3-B

DMMT2907A-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

307MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

BC857SE6327BTSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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