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NSS35200CF8T1G

NSS35200CF8T1G

Solo per riferimento

Numero parte NSS35200CF8T1G
PNEDA Part # NSS35200CF8T1G
Descrizione TRANS PNP 35V 2A 8CHIPFET
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.928
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSS35200CF8T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSS35200CF8T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSS35200CF8T1G, NSS35200CF8T1G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 66,62 KB)
PDFNSS35200CF8T1G Datasheet Copertura
NSS35200CF8T1G Datasheet Pagina 2 NSS35200CF8T1G Datasheet Pagina 3 NSS35200CF8T1G Datasheet Pagina 4 NSS35200CF8T1G Datasheet Pagina 5 NSS35200CF8T1G Datasheet Pagina 6

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NSS35200CF8T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)35V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 20mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 1.5A, 2V
Potenza - Max635mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreChipFET™

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

FZT792ATA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

160MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

FZTA14TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 1mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

DSS5220TQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

225 @ 100mA, 2V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

2N5349

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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