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NSL12AWT1G

NSL12AWT1G

Solo per riferimento

Numero parte NSL12AWT1G
PNEDA Part # NSL12AWT1G
Descrizione TRANS PNP 12V 2A SC-88
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NSL12AWT1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSL12AWT1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
NSL12AWT1G, NSL12AWT1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 125,82 KB)
PDFNSL12AWT1 Datasheet Copertura
NSL12AWT1 Datasheet Pagina 2 NSL12AWT1 Datasheet Pagina 3 NSL12AWT1 Datasheet Pagina 4

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NSL12AWT1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic290mV @ 20mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 800mA, 1.5 V
Potenza - Max450mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

180mV @ 75mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1.3W

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

TTC5200(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PL

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P(L)

BCW60FNE6393HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

BC847B,235

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

MPSH24_D26Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 8mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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