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NSBC113EDXV6T5

NSBC113EDXV6T5

Solo per riferimento

Numero parte NSBC113EDXV6T5
PNEDA Part # NSBC113EDXV6T5
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
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NSBC113EDXV6T5 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNSBC113EDXV6T5
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
NSBC113EDXV6T5, NSBC113EDXV6T5 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 81,55 KB)
PDFNSBC124EDXV6T1 Datasheet Copertura
NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 2 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 3 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 4 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 5 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 6 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 7 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 8 NSBC124EDXV6T1 Datasheet Pagina 9

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NSBC113EDXV6T5 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)1kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)1kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce3 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max500mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-563

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V, 65V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

230mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88/SC70-6/SOT-363

DCX122TH-7

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

220Ohms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

150mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

XN0A31100L

Panasonic Electronic Components

Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

10kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz, 80MHz

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini5-G1

NSBC123JPDXV6T1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

500mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

4.7kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

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