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NS8BTHE3/45

NS8BTHE3/45

Solo per riferimento

Numero parte NS8BTHE3/45
PNEDA Part # NS8BTHE3-45
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NS8BTHE3/45 Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNS8BTHE3/45
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
NS8BTHE3/45, NS8BTHE3/45 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 140,64 KB)
PDFNS8KT-7002HE3/45 Datasheet Copertura
NS8KT-7002HE3/45 Datasheet Pagina 2 NS8KT-7002HE3/45 Datasheet Pagina 3 NS8KT-7002HE3/45 Datasheet Pagina 4 NS8KT-7002HE3/45 Datasheet Pagina 5

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NS8BTHE3/45 Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 8A
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

30V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

80µA @ 30V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-128

Pacchetto dispositivo fornitore

PMDTM

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

CMR1U-04FL TR13

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SS215LW RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOD-123W

Pacchetto dispositivo fornitore

SOD123W

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

S3DB-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 3A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

40pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

SMB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

VS-40EPF02-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

180ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

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