NRVUA220VT3G
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| Numero parte | NRVUA220VT3G |
| PNEDA Part # | NRVUA220VT3G |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 200V 2A SMA |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.610 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida) |
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NRVUA220VT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NRVUA220VT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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NRVUA220VT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 600V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AC (SMAE) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 60V Corrente - Media Rettificata (Io) 25A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 630mV @ 25A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 60V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (5x6) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore STMicroelectronics Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 12A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 150µA @ 600V Capacità @ Vr, F 750pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
