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NRVHP820MFDT3G

NRVHP820MFDT3G

Solo per riferimento

Numero parte NRVHP820MFDT3G
PNEDA Part # NRVHP820MFDT3G
Descrizione DIODE ARRAY GP 200V 4A 8DFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.280
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NRVHP820MFDT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNRVHP820MFDT3G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
NRVHP820MFDT3G, NRVHP820MFDT3G Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 63,89 KB)
PDFNRVHP820MFDT1G Datasheet Copertura
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NRVHP820MFDT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101, SWITCHMODE™
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.05V @ 8A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 200V
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

Three Tower

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Configurazione diodi

2 Independent

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 400V

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-61AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-61B

UG1005G C0G

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

300V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 300V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

SBR3045CT

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

SBR®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Super Barrier

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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