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NP88N055KUG-E1-AY

NP88N055KUG-E1-AY

Solo per riferimento

Numero parte NP88N055KUG-E1-AY
PNEDA Part # NP88N055KUG-E1-AY
Descrizione MOSFET N-CH 55V 88A TO-263
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.948
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NP88N055KUG-E1-AY Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNP88N055KUG-E1-AY
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NP88N055KUG-E1-AY, NP88N055KUG-E1-AY Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 269,84 KB)
PDFNP88N055KUG-E2-AY Datasheet Copertura
NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 2 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 3 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 4 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 5 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 6 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 7 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 8 NP88N055KUG-E2-AY Datasheet Pagina 9

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NP88N055KUG-E1-AY Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C88A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs250nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds14400pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-263
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

144W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

180W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

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ON Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

250V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7280pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

260W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

175W (Tc)

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

230mA (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Vgs (massimo)

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Temperatura di esercizio

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