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NM27C010Q150

NM27C010Q150

Solo per riferimento

Numero parte NM27C010Q150
PNEDA Part # NM27C010Q150
Descrizione IC EPROM 1M PARALLEL 32CDIP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.444
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NM27C010Q150 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNM27C010Q150
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
NM27C010Q150, NM27C010Q150 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 704,85 KB)
PDFNM27C010V120 Datasheet Copertura
NM27C010V120 Datasheet Pagina 2 NM27C010V120 Datasheet Pagina 3 NM27C010V120 Datasheet Pagina 4 NM27C010V120 Datasheet Pagina 5 NM27C010V120 Datasheet Pagina 6 NM27C010V120 Datasheet Pagina 7 NM27C010V120 Datasheet Pagina 8 NM27C010V120 Datasheet Pagina 9 NM27C010V120 Datasheet Pagina 10

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NM27C010Q150 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - UV
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso150ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window
Pacchetto dispositivo fornitore32-CDIP

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

84-BPGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-PGA (27.94x27.94)

AT28C040-20BC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

32-CDIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-CDIP

N25Q128A23BF840E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VDFPN (MLP8) (8x6)

S29GL256S11DHIV20

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

60ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

64-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

64-FBGA (9x9)

MX30UF1G18AC-TI

Macronix

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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