NJVBDX53C
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| Numero parte | NJVBDX53C |
| PNEDA Part # | NJVBDX53C |
| Descrizione | TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.024 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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NJVBDX53C Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NJVBDX53C |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
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NJVBDX53C Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Darlington |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 8A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 100V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500µA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
| Potenza - Max | 65W |
| Frequenza - Transizione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor NPN Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 40V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Corrente - Taglio collettore (Max) 10nA (ICBO) Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 300MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
