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NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Solo per riferimento

Numero parte NGTD14T65F2WP
PNEDA Part # NGTD14T65F2WP
Descrizione IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.094
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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NGTD14T65F2WP Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNGTD14T65F2WP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
NGTD14T65F2WP, NGTD14T65F2WP Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 87,51 KB)
PDFNGTD14T65F2SWK Datasheet Copertura
NGTD14T65F2SWK Datasheet Pagina 2 NGTD14T65F2SWK Datasheet Pagina 3

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NGTD14T65F2WP Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo IGBTTrench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 35A
Potenza - Max-
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

260A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

580A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 82A

Potenza - Max

1250W

Switching Energy

5.5mJ (on), 12.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

340nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

34ns/265ns

Condizione di test

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™, Lightspeed 2™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

500A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

Potenza - Max

830W

Switching Energy

1.7mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

370nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/120ns

Condizione di test

400V, 80A, 1Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264 (IXGK)

FGB3040CS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

21A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

15nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/4.7µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263-6

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 42A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

120µJ (on), 150µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

76nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/113ns

Condizione di test

200V, 21A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXGA)

APT80GA60LD40

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

143A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

840µJ (on), 751µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

230nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/158ns

Condizione di test

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

22ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

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NLV32T-068J-EF

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TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

LPC1768FBD100,551

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ADG1606BCPZ-REEL7

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