NE85639-T1-A
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| Numero parte | NE85639-T1-A |
| PNEDA Part # | NE85639-T1-A |
| Descrizione | RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143 |
| Produttore | CEL |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.660 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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NE85639-T1-A Risorse
| Brand | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NE85639-T1-A |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
| Datasheet |
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NE85639-T1-A Specifiche
| Produttore | CEL |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 9GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Guadagno | 13dB |
| Potenza - Max | 200mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-253-4, TO-253AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
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Produttore CEL Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 10V Frequenza - Transizione 9GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Guadagno 17dB ~ 23dB Potenza - Max 200mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 65mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-253-4, TO-253AA Pacchetto dispositivo fornitore - |
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