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NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85633-T1B-R25-A
PNEDA Part # NE85633-T1B-R25-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
Produttore CEL
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Disponibile 7.722
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85633-T1B-R25-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85633-T1B-R25-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85633-T1B-R25-A, NE85633-T1B-R25-A Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 2.238,37 KB)
PDF2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Copertura
2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 2 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 3 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 4 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 5 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 6 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 7 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 8 2SC3356-T1B-R25-A Datasheet Pagina 9

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NE85633-T1B-R25-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione7GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Guadagno11.5dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce125 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-75, SOT-416

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SC-75

2N918

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6dB @ 60kHz

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

MRF559T

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

16V

Frequenza - Transizione

870MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9.5dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS2554A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.2dB

Potenza - Max

600W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17.8A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M216

Pacchetto dispositivo fornitore

M216

MPS5179RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

2GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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