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NE85630-R24-A

NE85630-R24-A

Solo per riferimento

Numero parte NE85630-R24-A
PNEDA Part # NE85630-R24-A
Descrizione RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.230
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 3 - giu 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE85630-R24-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE85630-R24-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE85630-R24-A, NE85630-R24-A Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.962,59 KB)
PDF2SC4226-A Datasheet Copertura
2SC4226-A Datasheet Pagina 2 2SC4226-A Datasheet Pagina 3 2SC4226-A Datasheet Pagina 4 2SC4226-A Datasheet Pagina 5 2SC4226-A Datasheet Pagina 6 2SC4226-A Datasheet Pagina 7 2SC4226-A Datasheet Pagina 8

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NE85630-R24-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione4.5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Guadagno9dB
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 7mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-323

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFP 640FESD E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

46GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz

Guadagno

8B ~ 30.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

2SC2714-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

9GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

500mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

120mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

MAPR-002731-115M00

M/A-Com Technology Solutions

Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.06dB ~ 8.45dB

Potenza - Max

115W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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