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NE68819-T1

NE68819-T1

Solo per riferimento

Numero parte NE68819-T1
PNEDA Part # NE68819-T1
Descrizione RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.202
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE68819-T1 Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE68819-T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE68819-T1, NE68819-T1 Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datasheet Copertura
NE68833-T1-A Datasheet Pagina 2 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 3 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 4 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 5 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 6 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 7 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 8 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 9 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 10 NE68833-T1-A Datasheet Pagina 11

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NE68819-T1 Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione5GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max125mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-523
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (19)

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

30MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

14dB

Potenza - Max

127W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.25A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Stud Mount

Pacchetto / Custodia

M135

Pacchetto dispositivo fornitore

M135

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

4.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

6dB ~ 12dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323

1517-20M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.48GHz ~ 1.65GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.6dB ~ 9.3dB

Potenza - Max

175W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55LV-1

Pacchetto dispositivo fornitore

55LV-1

DME375A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

1.025GHz ~ 1.15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

6.5dB

Potenza - Max

375W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55AW

Pacchetto dispositivo fornitore

55AW

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9V

Frequenza - Transizione

14GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Guadagno

10dB ~ 14.5dB

Potenza - Max

210mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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