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NE685M33-T3-A

NE685M33-T3-A

Solo per riferimento

Numero parte NE685M33-T3-A
PNEDA Part # NE685M33-T3-A
Descrizione RF TRANS NPN 6V 12GHZ 3SMINMOLD
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE685M33-T3-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE685M33-T3-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE685M33-T3-A, NE685M33-T3-A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 359,03 KB)
PDFNE685M33-T3-A Datasheet Copertura
NE685M33-T3-A Datasheet Pagina 2 NE685M33-T3-A Datasheet Pagina 3 NE685M33-T3-A Datasheet Pagina 4 NE685M33-T3-A Datasheet Pagina 5 NE685M33-T3-A Datasheet Pagina 6

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NE685M33-T3-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione12GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Guadagno-
Potenza - Max130mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore3-SuperMiniMold (M33)

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

17.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

MPSH10_D74Z

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

KSC2757RMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

FMMTH10TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

330mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

1002MP

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.24dB ~ 11dB

Potenza - Max

7W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

250mA

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

55FW-1

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