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NE67818-A

NE67818-A

Solo per riferimento

Numero parte NE67818-A
PNEDA Part # NE67818-A
Descrizione RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
Produttore CEL
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.798
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE67818-A Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE67818-A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE67818-A, NE67818-A Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 4.449,04 KB)
PDFNE67818-A Datasheet Copertura
NE67818-A Datasheet Pagina 2 NE67818-A Datasheet Pagina 3 NE67818-A Datasheet Pagina 4 NE67818-A Datasheet Pagina 5 NE67818-A Datasheet Pagina 6 NE67818-A Datasheet Pagina 7 NE67818-A Datasheet Pagina 8 NE67818-A Datasheet Pagina 9 NE67818-A Datasheet Pagina 10 NE67818-A Datasheet Pagina 11

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NE67818-A Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)6V
Frequenza - Transizione12GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
Guadagno13dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce75 @ 30mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

33V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

9dB

Potenza - Max

80W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

9A

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

316-01

Pacchetto dispositivo fornitore

316-01, STYLE 1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MS1512

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

860MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

19.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

M122

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1.1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

400mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

72 @ 1mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3.5V

Frequenza - Transizione

24GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

50mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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