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NE461M02-AZ

NE461M02-AZ

Solo per riferimento

Numero parte NE461M02-AZ
PNEDA Part # NE461M02-AZ
Descrizione RF TRANS NPN 15V SOT89
Produttore CEL
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Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NE461M02-AZ Risorse

Brand CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNE461M02-AZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
NE461M02-AZ, NE461M02-AZ Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 1.723,82 KB)
PDFNE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Copertura
NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 2 NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 3 NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 4 NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 5 NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 6 NE461M02-T1-QS-AZ Datasheet Pagina 7

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NE461M02-AZ Specifiche

ProduttoreCEL
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno8.3dB
Potenza - Max2W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)250mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-243AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-89

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Guadagno

25dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-72-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Guadagno

-

Potenza - Max

300mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-323-3

BFS 481 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

20dB

Potenza - Max

175mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

62028

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BFS 483 E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

19dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

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