Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NDT03N40ZT3G

NDT03N40ZT3G

Solo per riferimento

Numero parte NDT03N40ZT3G
PNEDA Part # NDT03N40ZT3G
Descrizione MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.640
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDT03N40ZT3G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDT03N40ZT3G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NDT03N40ZT3G, NDT03N40ZT3G Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 122,57 KB)
PDFNDD03N40Z-1G Datasheet Copertura
NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 2 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 3 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 4 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 5 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 6 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 7 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 8 NDD03N40Z-1G Datasheet Pagina 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NDT03N40ZT3G Datasheet
  • where to find NDT03N40ZT3G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NDT03N40ZT3G
  • NDT03N40ZT3G PDF Datasheet
  • NDT03N40ZT3G Stock

  • NDT03N40ZT3G Pinout
  • Datasheet NDT03N40ZT3G
  • NDT03N40ZT3G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NDT03N40ZT3G Price
  • NDT03N40ZT3G Distributor

NDT03N40ZT3G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C500mA (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds140pF @ 50V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223 (TO-261)
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

UPA2764T1A-E2-AY

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

130A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.45mOhm @ 35A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7930pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.5W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-HVSON (5.4x5.15)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

R5016FNX

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FM

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

IRFP3703

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

209nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

STW26NM60ND

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™ II

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

175mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54.6nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1817pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

190W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

IRFP3306PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4520pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

220W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Venduto di recente

NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

ADUM1401ARWZ

ADUM1401ARWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

M24256-BRMN6TP

M24256-BRMN6TP

STMicroelectronics

IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SO

TQ2SA-5V

TQ2SA-5V

Panasonic Electric Works

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

SP0506BAATG

SP0506BAATG

Littelfuse

TVS DIODE 5.5V 8.5V 8MSOP

EXB-2HV510JV

EXB-2HV510JV

Panasonic Electronic Components

RES ARRAY 8 RES 51 OHM 1506

MTFC8GAKAJCN-4M IT

MTFC8GAKAJCN-4M IT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC

HCPL-063L-500E

HCPL-063L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

ADM202JRN-REEL7

ADM202JRN-REEL7

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

DS5000T-32-16+

DS5000T-32-16+

Maxim Integrated

IC MCU 8BIT 32KB NVSRAM 40EDIP

7440430022

7440430022

Wurth Electronics

FIXED IND 2.2UH 2.5A 28 MOHM SMD

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227