Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

NDT014L

NDT014L

Solo per riferimento

Numero parte NDT014L
PNEDA Part # NDT014L
Descrizione MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.222
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDT014L Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDT014L
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
NDT014L, NDT014L Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 375,83 KB)
PDFNDT014L Datasheet Copertura
NDT014L Datasheet Pagina 2 NDT014L Datasheet Pagina 3 NDT014L Datasheet Pagina 4 NDT014L Datasheet Pagina 5 NDT014L Datasheet Pagina 6 NDT014L Datasheet Pagina 7 NDT014L Datasheet Pagina 8 NDT014L Datasheet Pagina 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • NDT014L Datasheet
  • where to find NDT014L
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NDT014L
  • NDT014L PDF Datasheet
  • NDT014L Stock

  • NDT014L Pinout
  • Datasheet NDT014L
  • NDT014L Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NDT014L Price
  • NDT014L Distributor

NDT014L Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.8A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds214pF @ 30V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta)
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223-4
Pacchetto / CustodiaTO-261-4, TO-261AA

I prodotti a cui potresti essere interessato

IRFBF30STRLPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (D²Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

92nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2830pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXFA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1576pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

280W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SPP08P06PBKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

DMN31D5UDA-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

Venduto di recente

XC7VX690T-2FFG1761I

XC7VX690T-2FFG1761I

Xilinx

IC FPGA 850 I/O 1761FCBGA

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

ADR421ARZ

ADR421ARZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC

AD7942BRMZ

AD7942BRMZ

Analog Devices

IC ADC 14BIT SAR 10MSOP

NAU7802SGI

NAU7802SGI

Nuvoton Technology

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16SOP

CYUSB3014-BZXC

CYUSB3014-BZXC

Cypress Semiconductor

IC ARM9 USB3 CONTROLLER 121FBGA

PMBT3904VS,115

PMBT3904VS,115

Nexperia

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

T520B127M006ATE035

T520B127M006ATE035

KEMET

CAP TANT POLY 120UF 6.3V 3528

ADM1031ARQZ

ADM1031ARQZ

ON Semiconductor

IC SENSOR 2-TEMP/FAN CTRL 16QSOP

LTC2802IDE#TRPBF

LTC2802IDE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 12DFN