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NDS9947

NDS9947

Solo per riferimento

Numero parte NDS9947
PNEDA Part # NDS9947
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.372
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NDS9947 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNDS9947
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
NDS9947, NDS9947 Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 342,32 KB)
PDFNDS9947 Datasheet Copertura
NDS9947 Datasheet Pagina 2 NDS9947 Datasheet Pagina 3 NDS9947 Datasheet Pagina 4 NDS9947 Datasheet Pagina 5 NDS9947 Datasheet Pagina 6 NDS9947 Datasheet Pagina 7 NDS9947 Datasheet Pagina 8 NDS9947 Datasheet Pagina 9 NDS9947 Datasheet Pagina 10

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NDS9947 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SeriePowerTrench®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds542pF @ 10V
Potenza - Max900mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

FETKY™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 16V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

EPC2101

EPC

Produttore

EPC

Serie

eGaN®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

ALD210804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Produttore

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

Tipo FET

4 N-Channel, Matched Pair

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

DMP2200UDW-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

900mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

184pF @ 10V

Potenza - Max

450mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

116A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

580nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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