NDBA100N10BT4H
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| Numero parte | NDBA100N10BT4H |
| PNEDA Part # | NDBA100N10BT4H |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 100A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.618 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 6 - lug 11 (Scegli Spedizione rapida) |
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NDBA100N10BT4H Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NDBA100N10BT4H |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
NDBA100N10BT4H, NDBA100N10BT4H Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 649,8 KB)
  
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NDBA100N10BT4H Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V, 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.9mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 50V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263) |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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