ND104N16KHPSA1
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| Numero parte | ND104N16KHPSA1 |
| PNEDA Part # | ND104N16KHPSA1 |
| Descrizione | DIODE GP 1.6KV 104A BG-PB20-1 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.308 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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ND104N16KHPSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | ND104N16KHPSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
ND104N16KHPSA1, ND104N16KHPSA1 Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 236,69 KB)
  
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ND104N16KHPSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 104A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 1600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | BG-PB20-1 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -40°C ~ 135°C |
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Produttore Global Power Technologies Group Serie Amp+™ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 50A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 15A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 952pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 570mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 45V Capacità @ Vr, F 600pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (D2Pak) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 650mV @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
