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NCV7520MWTXG

NCV7520MWTXG

Solo per riferimento

Numero parte NCV7520MWTXG
PNEDA Part # NCV7520MWTXG
Descrizione IC MOSFET PRE-DVR HEX LO 32QFN
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.284
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Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCV7520MWTXG Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCV7520MWTXG
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCV7520MWTXG, NCV7520MWTXG Datasheet (Totale pagine: 38, Dimensioni: 454,5 KB)
PDFNCV7520FPR2G Datasheet Copertura
NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 2 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 3 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 4 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 5 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 6 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 7 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 8 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 9 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 10 NCV7520FPR2G Datasheet Pagina 11

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NCV7520MWTXG Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q100, FLEXMOS™
Configurazione guidataLow-Side
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver6
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione4.75V ~ 5.25V
Tensione logica - VIL, VIH0.8V, 2V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)-
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)277ns (Max), 277ns (Max)
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-VFQFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore32-QFN (5x5)

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

1.22V, 2.08V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (3x3)

MAX620CWN+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

1.7µs, 2.5µs

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

18-SOIC

IR2110STRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.3V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

ISL6610AIBZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

NCP5901GMNTBG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

0.7V, 3.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

16ns, 11ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x2)

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