NCV57000DWR2G
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| Numero parte | NCV57000DWR2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | NCV57000DWR2G | ||||||||||||||||||
| Descrizione | IC IGBT GATE DRIVER | ||||||||||||||||||
| Produttore | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.476 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 17 - giu 22 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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NCV57000DWR2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NCV57000DWR2G |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
NCV57000DWR2G, NCV57000DWR2G Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 225,12 KB)
  
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NCV57000DWR2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT |
| Tensione - Alimentazione | 24V |
| Tensione logica - VIL, VIH | - |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 7.8A, 7.1A |
| Tipo di ingresso | Inverting, Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 10ns, 15ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 150ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 14-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 14-DIP |
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