NCP3418DR2
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| Numero parte | NCP3418DR2 |
| PNEDA Part # | NCP3418DR2 |
| Descrizione | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.690 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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NCP3418DR2 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | NCP3418DR2 |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
| Datasheet |
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NCP3418DR2 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Synchronous |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 4.6V ~ 13.2V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 30V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 18ns, 10ns |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 12V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 200mA, 350mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 125ns, 50ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 28-SOIC |
