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NCP1392DDR2G

NCP1392DDR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCP1392DDR2G
PNEDA Part # NCP1392DDR2G
Descrizione IC HALF BRIDGE DVR HV OSC 8SOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.862
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCP1392DDR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCP1392DDR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCP1392DDR2G, NCP1392DDR2G Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 230,67 KB)
PDFNCP1392DDR2G Datasheet Copertura
NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 2 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 3 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 4 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 5 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 6 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 7 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 8 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 9 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 10 NCP1392DDR2G Datasheet Pagina 11

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NCP1392DDR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione8V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)500mA, 1A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)40ns, 20ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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MIC4422CN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

9A, 9A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 24ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

EL7155CSZ-T13

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side or Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16.5V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3.5A, 3.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14.5ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

TPS2811PW

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

14ns, 15ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSSOP

UCC27200ADR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 17V

Tensione logica - VIL, VIH

3V, 8V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

120V

Tempo di salita / discesa (tipico)

8ns, 7ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

ISL6700IRZ

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.4A, 1.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

80V

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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