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NCD5701CDR2G

NCD5701CDR2G

Solo per riferimento

Numero parte NCD5701CDR2G
PNEDA Part # NCD5701CDR2G
Descrizione HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 2.682
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

NCD5701CDR2G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteNCD5701CDR2G
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
NCD5701CDR2G, NCD5701CDR2G Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 336,37 KB)
PDFNCD5701BDR2G Datasheet Copertura
NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 2 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 3 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 4 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 5 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 6 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 7 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 8 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 9 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 10 NCD5701BDR2G Datasheet Pagina 11

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NCD5701CDR2G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Configurazione guidataHigh-Side or Low-Side
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT
Tensione - Alimentazione20V
Tensione logica - VIL, VIH-
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)7.8A, 6.8A
Tipo di ingresso-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Tempo di salita / discesa (tipico)18ns, 19ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

60mA, 130mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

700V

Tempo di salita / discesa (tipico)

200ns, 100ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MCP1404-E/SO

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4.5A, 4.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

15ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

LM25101BSDX/NOPB

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

9V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

2.3V, -

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Tempo di salita / discesa (tipico)

570ns, 430ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

10-WSON (4x4)

MAX4420CPA+

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 25ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

UCC27526DSDR

Texas Instruments

Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2.3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

5A, 5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7ns, 6ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 140°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SON (3x3)

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