NAND02GW3B2DN6E
Solo per riferimento
| Numero parte | NAND02GW3B2DN6E |
| PNEDA Part # | NAND02GW3B2DN6E |
| Descrizione | IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 37.703 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 2 - mag 7 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NAND02GW3B2DN6E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | NAND02GW3B2DN6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
NAND02GW3B2DN6E, NAND02GW3B2DN6E Datasheet
(Totale pagine: 67, Dimensioni: 1.815,56 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- NAND02GW3B2DN6E Datasheet
- where to find NAND02GW3B2DN6E
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E
- NAND02GW3B2DN6E PDF Datasheet
- NAND02GW3B2DN6E Stock
- NAND02GW3B2DN6E Pinout
- Datasheet NAND02GW3B2DN6E
- NAND02GW3B2DN6E Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- NAND02GW3B2DN6E Price
- NAND02GW3B2DN6E Distributor
NAND02GW3B2DN6E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 25ns |
| Tempo di accesso | 25ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 2Mb (64K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4.2ns Tensione - Alimentazione 2.4V ~ 2.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 208-BFQFP Pacchetto dispositivo fornitore 208-PQFP (28x28) |
Produttore Microchip Technology Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 8Kb (256 x 8 x 4) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die |
Produttore Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FRAM Tecnologia FRAM (Ferroelectric RAM) Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 40MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.8V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 5ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-VFBGA (8x9) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - DDR4 Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 1.2GHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.26V Temperatura di esercizio -40°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 78-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 78-FBGA (8x12) |
