N25Q064A11EF640F TR
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| Numero parte | N25Q064A11EF640F TR |
| PNEDA Part # | N25Q064A11EF640F-TR |
| Descrizione | IC FLASH 64M SPI 108MHZ 8VDFPN |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.402 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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N25Q064A11EF640F TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | N25Q064A11EF640F TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
N25Q064A11EF640F TR, N25Q064A11EF640F TR Datasheet
(Totale pagine: 79, Dimensioni: 925,61 KB)
  
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N25Q064A11EF640F TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (16M x 4) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 108MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 8ms, 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 1.7V ~ 2V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-VDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria PSRAM Tecnologia PSRAM (Pseudo SRAM) Dimensione della memoria 64Mb (4M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 85ns Tempo di accesso 85ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-VFBGA (6x9) |
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