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N25Q032A13ESEH0F TR

N25Q032A13ESEH0F TR

Solo per riferimento

Numero parte N25Q032A13ESEH0F TR
PNEDA Part # N25Q032A13ESEH0F-TR
Descrizione IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SOP2
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.514
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

N25Q032A13ESEH0F TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteN25Q032A13ESEH0F TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
N25Q032A13ESEH0F TR, N25Q032A13ESEH0F TR Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 1.142,56 KB)
PDFN25Q032A13EV7A0 Datasheet Copertura
N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 2 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 3 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 4 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 5 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 6 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 7 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 8 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 9 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 10 N25Q032A13EV7A0 Datasheet Pagina 11

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N25Q032A13ESEH0F TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria32Mb (8M x 4)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock108MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8ms, 5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-TWBGA (8x12.5)

MT29F4G08ABADAH4-AT:D

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Tempo di accesso

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