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MX29LV400CBXBC-90G

MX29LV400CBXBC-90G

Solo per riferimento

Numero parte MX29LV400CBXBC-90G
PNEDA Part # MX29LV400CBXBC-90G
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 48TFBGA
Produttore Macronix
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Disponibile 2.268
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MX29LV400CBXBC-90G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29LV400CBXBC-90G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29LV400CBXBC-90G, MX29LV400CBXBC-90G Datasheet (Totale pagine: 76, Dimensioni: 3.333,48 KB)
PDFMX29LV800CTMI-55Q Datasheet Copertura
MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 2 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 3 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 4 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 5 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 6 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 7 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 8 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 9 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 10 MX29LV800CTMI-55Q Datasheet Pagina 11

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MX29LV400CBXBC-90G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29LV
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina90ns
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-TFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-TFBGA, CSP (6x8)

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CABGA (9x9)

W29N04GVSIAF

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Cypress Semiconductor

Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.4ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

CY7C1518AV18-167BZC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT53E256M32D2DS-046 AUT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

8Gb (256M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2.133GHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

0.6V, 1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

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