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MX29LV040CTI-90G

MX29LV040CTI-90G

Solo per riferimento

Numero parte MX29LV040CTI-90G
PNEDA Part # MX29LV040CTI-90G
Descrizione IC FLASH 4M PARALLEL 32TSOP
Produttore Macronix
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Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MX29LV040CTI-90G Risorse

Brand Macronix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMX29LV040CTI-90G
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MX29LV040CTI-90G, MX29LV040CTI-90G Datasheet (Totale pagine: 45, Dimensioni: 1.842,49 KB)
PDFMX29LV040CQC-90G Datasheet Copertura
MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 2 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 3 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 4 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 5 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 6 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 7 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 8 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 9 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 10 MX29LV040CQC-90G Datasheet Pagina 11

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MX29LV040CTI-90G Specifiche

ProduttoreMacronix
SerieMX29LV
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria4Mb (512K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina90ns
Tempo di accesso90ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore32-TSOP

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (64K x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

MT42L128M32D1LH-25 WT:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

216-UFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

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SkyHigh Memory Limited

Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

W632GU8MB-11

Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

78-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

78-VFBGA (8x10.5)

AT24C02A-10PI-1.8

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

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