MVDF2C03HDR2G
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| Numero parte | MVDF2C03HDR2G |
| PNEDA Part # | MVDF2C03HDR2G |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.546 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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MVDF2C03HDR2G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MVDF2C03HDR2G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
MVDF2C03HDR2G, MVDF2C03HDR2G Datasheet
(Totale pagine: 10, Dimensioni: 148,69 KB)
  
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MVDF2C03HDR2G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel Complementary |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.1A, 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 24V |
| Potenza - Max | 2W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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