MV2N4391
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| Numero parte | MV2N4391 |
| PNEDA Part # | MV2N4391 |
| Descrizione | N CHANNEL JFET |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.128 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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MV2N4391 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MV2N4391 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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MV2N4391 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200µA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 300mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 2V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 40 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 40 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
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Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14pF @ 20V Resistenza - RDS (On) 30 Ohms Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92 |
