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MURT10040R

MURT10040R

Solo per riferimento

Numero parte MURT10040R
PNEDA Part # MURT10040R
Descrizione DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER
Produttore GeneSiC Semiconductor
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Disponibile 8.568
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MURT10040R Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMURT10040R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MURT10040R, MURT10040R Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 727 KB)
PDFMURT10060R Datasheet Copertura
MURT10060R Datasheet Pagina 2 MURT10060R Datasheet Pagina 3

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MURT10040R Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi-
Tipo di diodoStandard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)400V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.35V @ 50A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr25µA @ 50V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaThree Tower
Pacchetto dispositivo fornitoreThree Tower

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

120mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1V @ 40mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

100ps

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 30V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Series Connection

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

36A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.38V @ 80A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10mA @ 800V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-240AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-240AA

SS10P4CHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

530mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

550µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

STPS16150CT

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

920mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

3µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

6CWQ10FNTRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

3.5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

810mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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