MUR8100EG
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| Numero parte | MUR8100EG |
| PNEDA Part # | MUR8100EG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220-2 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 43.182 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 8 - mag 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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MUR8100EG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MUR8100EG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MUR8100EG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | SWITCHMODE™ |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 100ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore SMC Diode Solutions Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 490mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 4mA @ 30V Capacità @ Vr, F 2200pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Die Pacchetto dispositivo fornitore Die Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
