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MUR120S R5G

MUR120S R5G

Solo per riferimento

Numero parte MUR120S R5G
PNEDA Part # MUR120S-R5G
Descrizione DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MUR120S R5G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUR120S R5G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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MUR120S R5G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)200V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If875mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr2µA @ 200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDO-214AA, SMB
Pacchetto dispositivo fornitoreDO-214AA (SMB)
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.75A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

A, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

A-PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

ESH3C-M3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 150V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SR320 A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AD, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MUR120SHR5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

875mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AA, SMB

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AA (SMB)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

PR1003G-T

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

150ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

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