MUN5213DW1T1G
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| Numero parte | MUN5213DW1T1G |
| PNEDA Part # | MUN5213DW1T1G |
| Descrizione | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 224.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 4 - mag 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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MUN5213DW1T1G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MUN5213DW1T1G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati |
| Datasheet |
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MUN5213DW1T1G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 100mA |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 50V |
| Resistenza - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistenza - Base Emettitore (R2) | 47kOhms |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 250mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 4.7kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 200MHz, 250MHz Potenza - Max 200mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore US6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA, 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V, 12V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz, 260MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore UMT6 |
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Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max) 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione 200MHz Potenza - Max 300mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore SM6 |
Produttore Rohm Semiconductor Serie - Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max) 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 50V Resistenza - Base (R1) 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2) 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max) 500nA Frequenza - Transizione 250MHz Potenza - Max 150mW Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore UMT6 |
