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MUN5212DW1T1

MUN5212DW1T1

Solo per riferimento

Numero parte MUN5212DW1T1
PNEDA Part # MUN5212DW1T1
Descrizione TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.292
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MUN5212DW1T1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMUN5212DW1T1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati
Datasheet
MUN5212DW1T1, MUN5212DW1T1 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 139,24 KB)
PDFMUN5235DW1T1 Datasheet Copertura
MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 2 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 3 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 4 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 5 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 6 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 7 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 8 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 9 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 10 MUN5235DW1T1 Datasheet Pagina 11

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MUN5212DW1T1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Resistenza - Base (R1)22kOhms
Resistenza - Base Emettitore (R2)22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 10V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)500nA
Frequenza - Transizione-
Potenza - Max250mW
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-88/SC70-6/SOT-363

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Frequenza - Transizione

130MHz

Potenza - Max

250mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT363-6

NSVBC124EPDXV6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

22kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

22kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

339W

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

RN2905FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Frequenza - Transizione

200MHz

Potenza - Max

100mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

ES6

PEMD10,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

2.2kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA

Frequenza - Transizione

-

Potenza - Max

300mW

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-666

UP03390G0L

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Produttore

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Tipo di transistor

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Resistenza - Base (R1)

47kOhms, 10kOhms

Resistenza - Base Emettitore (R2)

47kOhms

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Frequenza - Transizione

150MHz, 80MHz

Potenza - Max

125mW

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