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MTA8ATF51264HZ-2G1B1

MTA8ATF51264HZ-2G1B1

Solo per riferimento

Numero parte MTA8ATF51264HZ-2G1B1
PNEDA Part # MTA8ATF51264HZ-2G1B1
Descrizione IC DRAM 32G PARALLEL 1067MHZ
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 24 - giu 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMTA8ATF51264HZ-2G1B1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MTA8ATF51264HZ-2G1B1, MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 386,49 KB)
PDFMTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Copertura
MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 2 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 3 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 4 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 5 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 6 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 7 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 8 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 9 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 10 MTA8ATF51264HZ-2G6B1 Datasheet Pagina 11

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MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR4
Dimensione della memoria32Gb (512M x 64)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock1067MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.2V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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Produttore

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Serie

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Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

24-SOIC

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

8Gb (128M x 64)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.3V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

216-FBGA (12x12)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (11.35x13.89)

Produttore

Macronix

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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