MT53D4DHSB-DC
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| Numero parte | MT53D4DHSB-DC |
| PNEDA Part # | MT53D4DHSB-DC |
| Descrizione | SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.160 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 25 - mag 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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MT53D4DHSB-DC Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MT53D4DHSB-DC |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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MT53D4DHSB-DC Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 128Gb (16G x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 83MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP I |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 12ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM - EDO Dimensione della memoria 16Mb (1M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 30ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie MS-2 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 1Gb (64M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 63-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 63-BGA (11x9) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie AS-J Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NOR Dimensione della memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 70ns Tempo di accesso 70ns Tensione - Alimentazione 1.65V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP |
