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MT49H32M9SJ-25:B TR

MT49H32M9SJ-25:B TR

Solo per riferimento

Numero parte MT49H32M9SJ-25:B TR
PNEDA Part # MT49H32M9SJ-25-B-TR
Descrizione IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.084
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT49H32M9SJ-25:B TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT49H32M9SJ-25:B TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT49H32M9SJ-25:B TR, MT49H32M9SJ-25:B TR Datasheet (Totale pagine: 82, Dimensioni: 5.572,53 KB)
PDFMT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Copertura
MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 2 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 3 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 4 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 5 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 6 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 7 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 8 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 9 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 10 MT49H16M18SJ-25 IT:B Datasheet Pagina 11

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MT49H32M9SJ-25:B TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaDRAM
Dimensione della memoria288Mb (32M x 9)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock400MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso20ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia144-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore144-FBGA (18.5x11)

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MT47H32M16CC-5E:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

600ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (12x12.5)

CY7C1514V18-167BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

72Mb (2M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

132-VBGA (12x18)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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